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BFN25

更新时间： 2024-11-15 22:27:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体开关小信号双极晶体管电视光电二极管高压
页数 文件大小 规格书
4页 144K
描述
PNP Silicon High-Voltage Transistors (Suitable for video output stages in TV sets and switching power supplies High breakdown voltage)

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BFN25 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT-23包装说明：SOT-23, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.55
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：250 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JESD-30 代码：R-PDSO-G3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.36 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

BFN25 数据手册

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PNP Silicon High-Voltage Transistors  
BFN 25  
BFN 27  
● Suitable for video output stages in TV sets  
and switching power supplies  
● High breakdown voltage  
● Low collector-emitter saturation voltage  
● Complementary types: BFN 24, BFN 26 (NPN)  
Package1)  
Type  
Marking  
Ordering Code  
(tape and reel)  
Pin Configuration  
1
2
3
BFN 25  
BFN 27  
FKs  
FLs  
Q62702-F1066  
Q62702-F977  
B
E
C
SOT-23  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
BFN 25  
250  
BFN 27  
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
CE0  
CB0  
EB0  
300  
V
V
250  
300  
V
5
I
I
I
I
C
200  
500  
mA  
Peak collector current  
Base current  
CM  
B
100  
Peak base current  
BM  
200  
Total power dissipation, T  
S
= 74 ˚C  
P
tot  
360  
mW  
˚C  
Junction temperature  
Tj  
150  
Storage temperature range  
T
stg  
– 65 … + 150  
Thermal Resistance  
Junction - ambient2)  
R
th JA  
th JS  
≤ 280  
≤ 210  
K/W  
Junction - soldering point  
R
1)  
For detailed information see chapter Package Outlines.  
Package mounted on epoxy pcb 40 mm × 40 mm × 1.5 mm/6 cm2 Cu.  
2)  
5.91  
Semiconductor Group  
1
1234

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