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BFN39

更新时间： 2024-09-17 03:21:47
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1页 47K
描述
SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

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BFN39 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.21外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：300 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：2 W最大功率耗散 (Abs)：1.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

BFN39 数据手册

  
SOT223 PNP SILICON PLANAR  
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR  
BFN39  
ISSUE 4 – JANUARY 1996  
✪
FEATURES:  
*
High VCEO=300V and low VCE(sat)  
C
APPLICATIONS:  
*
*
Suitable for video output stages in TV sets  
Switching power supplies  
E
C
COMPLEMENTARY TYPE:-  
PARTMARKING DETAIL:-  
BFN38  
BFN39  
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
VALUE  
-300  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
-300  
V
Emitter-Base Voltage  
-5  
V
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
-500  
mA  
W
Ptot  
-2  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
MIN.  
-300  
-300  
-5  
TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V
IC=-100µA  
IC=-1mA  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
V
V
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
IE=-100µA  
VCB=-250V  
VCB=-250V †  
Collector Cut-Off  
Current  
-100 nA  
-20  
µA  
Emitter Cut-Off  
Current  
IEBO  
-100 nA  
VEB=-4V  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
hFE  
-0.5  
-0.9  
V
V
IC=-20mA, IB=-2mA*  
IC=-20mA, IB=-2mA*  
Base Emitter  
Saturation Voltage  
Static Forward  
Current Transfer Ratio  
25  
40  
30  
IC=-1mA, VCE=-10V*  
IC=-10mA, VCE=-10V*  
IC=-30mA, VCE=10V*  
Transition Frequency fT  
100  
2.5  
MHz IC=-20mA, VCE=-10V  
f=100MHz  
Output Capacitance  
†Tamb=150°C  
Cobo  
pF  
VCB=-30V, f=1MHz  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%  
For typical characteristics graphs see FMMTA92 datasheet.  
3 - 49  
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