5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> BFN36
BFN36 PDF预览

BFN36

更新时间： 2024-11-16 03:21:47
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 晶体晶体管功率双极晶体管开关光电二极管高压局域网
页数 文件大小 规格书
1页 45K
描述
SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

BFN36 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.24Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：250 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：1.5 W
最大功率耗散 (Abs)：1.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：70 MHz
Base Number Matches：1

BFN36 数据手册

  
SOT223 NPN SILICON PLANAR  
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR  
BFN36  
ISSUE 4 - JANUARY 1996  
✪
FEATURES:  
C
*
High VCEO and Low saturation voltage  
APPLICATIONS:  
*
*
Suitable for video output stages in TV sets  
Switching power supplies  
E
C
COMPLEMENTARY TYPE - BFN37  
PARTMARKING DETAILS - BFN36  
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
250  
Collector-Emitter Voltage  
250  
V
Emitter-Base Voltage  
5
V
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
500  
2
mA  
W
Ptot  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL  
V(BR)CBO  
MIN.  
250  
TYP.  
MAX.  
UNIT CONDITIONS.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V
V
V
IC=100µA  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
250  
5
IC=1mA  
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
IE=100µA  
Collector Cut-Off  
Current  
100 nA  
20  
VCB=200V  
VCB=200V, Tamb=150°C  
µA  
100 nA  
Emitter Cut-Off  
Current  
IEBO  
VEB=4V  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
0.4  
0.9  
V
V
IC=20mA, IB=2mA  
IC=20mA, IB=2mA  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
Static Forward Current hFE  
Transfer Ratio  
25  
40  
40  
IC=1mA, VCE=10V*  
IC=10mA, VCE=10V*  
IC=30mA, VCE=10V*  
Transition  
Frequency  
fT  
70  
MHz  
pF  
IC=20mA, VCE=10V  
f=100MHz  
Output Capacitance  
Cobo  
1.5  
VCB=30V,f=1MHz  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%  
For typical characteristics graphs see FMMTA42 datasheet.  
3 - 46  
1

中文翻译

下载PDF

与BFN36相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BFN36TA DIODES

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy
BFN36TC ZETEX

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy
BFN36TC DIODES

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy
BFN37 ZETEX

获取价格

 		SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
BFN37 INFINEON

获取价格

 		PNP Silicon High-Voltage Transistors (Suitable for video output stages in TV sets and swit
BFN37TA DIODES

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy
BFN37TC ZETEX

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy
BFN37TC DIODES

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy
BFN38 INFINEON

获取价格

 		NPN Silicon High-Voltage Transistors (Suitable for video output stages in TV sets and swit
BFN38 ZETEX

获取价格

 		SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

与BFN36相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证