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BFN38H6327TR

更新时间： 2024-11-17 03:07:43

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英飞凌 - INFINEON		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	517K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, GREEN PACKAGE-4

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BFN38H6327TR 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.74	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	集电极-发射极最大电压：	300 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	参考标准：	AEC-Q101
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	70 MHz
Base Number Matches：	1

BFN38H6327TR 数据手册

BFN38

NPN Silicon High-Voltage Transistors

• Suitable for video output stages TV sets

and switching power supplies

• High breakdown voltage

• Low collector-emitter saturation voltage

• Complementary type: BFN39 (PNP)

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

Type

BFN38

Marking

BFN38

Pin Configuration

Package

SOT223

1=B 2=C 3=E 4=C

Maximum Ratings

Parameter

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Peak collector current, t ≤ 10 ms

Base current

Peak base current

Total power dissipation-

Symbol

Value

300

200

500

100

200

1.5

Unit

CEO

CBO

EBO

tot

T ≤ 124 °C

150

°C

Junction temperature

Storage temperature

-65 ... 150

stg

Thermal Resistance

Parameter

Junction - soldering point

Symbol

Value

≤ 17

Unit

K/W

thJS

For calculation of R

please refer to Application Note AN077 (Thermal Resistance Calculation)

thJA

2011-07-25

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BFN38H6327XTSA1	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, GREEN
BFN38TC	ZETEX	获取价格	Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy
BFN39	ZETEX	获取价格	SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
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