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BFN39

更新时间: 2024-11-15 22:27:35
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英飞凌 - INFINEON 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管高压
页数 文件大小 规格书
5页 48K
描述
PNP Silicon High-Voltage Transistors

BFN39 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:End Of Life零件包装代码:SOT-223
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4针数:4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.48Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):0.2 A
集电极-发射极最大电压:300 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):30JESD-30 代码:R-PDSO-G4
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):1.5 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzBase Number Matches:1

BFN39 数据手册

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BFN37, BFN39  
PNP Silicon High-Voltage Transistors  
Suitabled for video output stages in TV sets and  
switching power supplies  
4
High breakdown voltage  
Low collector-emitter saturation voltage  
Complementary types: BFN36, BFN38 (NPN)  
3
2
1
VPS05163  
Type  
Marking  
BFN 37  
BFN 39  
Pin Configuration  
Package  
SOT223  
SOT223  
1 = B  
1 = B  
2 = C  
2 = C  
3 = E  
3 = E  
4 = C  
4 = C  
BFN37  
BFN39  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Unit  
BFN37  
250  
250  
5
BFN39  
300  
300  
5
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
DC collector current  
Peak collector current  
Base current  
V
V
V
V
CEO  
CBO  
EBO  
I
200  
mA  
C
I
500  
100  
200  
1.5  
CM  
I
B
Peak base current  
I
BM  
Total power dissipation, T = 124 °C  
P
W
S
tot  
Junction temperature  
Storage temperature  
T
150  
°C  
j
T
-65 ... 150  
17  
stg  
Thermal Resistance  
1)  
Junction - soldering point  
R
K/W  
thJS  
1
For calculation of R  
thJA  
please refer to Application Note Thermal Resistance  
1
Nov-30-2001  

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