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BFN27E6327HTSA1

更新时间： 2024-09-29 21:14:59
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 525K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

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BFN27E6327HTSA1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：End Of Life包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：4 weeks风险等级：6.38
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：300 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

BFN27E6327HTSA1 数据手册

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BFN27  
PNP Silicon High-Voltage Transistors  
• Suitable for video output stages in TV sets  
2
3
and switching power supplies  
1
• High breakdown voltage  
• Low collector-emitter saturation voltage  
• Complementary types: BFN26 (NPN)  
• Pb-free (RoHS compliant) package  
• Qualified according AEC Q101  
Type  
BFN27  
Marking  
FLs  
Pin Configuration  
Package  
SOT23  
1=B  
2=E  
3=C  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
300  
300  
5
200  
500  
100  
200  
360  
V
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
CEO  
CBO  
EBO  
mA  
I
C
Peak collector current, t ≤ 10 ms  
I
p
CM  
Base current  
Peak base current  
Total power dissipation-  
I
B
I
BM  
mW  
°C  
P
tot  
T ≤ 74 °C  
S
150  
Junction temperature  
Storage temperature  
T
j
T
-65 ... 150  
stg  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction - soldering point  
Symbol  
Value  
≤ 210  
Unit  
K/W  
1)  
R
thJS  
1
For calculation of R  
please refer to Application Note AN077 (Thermal Resistance Calculation)  
thJA  
2011-12-19  
1
1234567

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