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BF623

更新时间： 2024-02-17 02:53:44

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管电视高压放大器
页数	文件大小	规格书
4页	133K
描述
PNP Silicon High-Voltage Transistor (Suitable for video output stages in TV sets High breakdown voltage Low collector-emitter saturation voltage)

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BF623 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.2	最大集电极电流 (IC)：	0.02 A
集电极-发射极最大电压：	200 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	25	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz
VCEsat-Max：	0.5 V	Base Number Matches：	1

BF623 数据手册

PNP Silicon High-Voltage Transistor

BF 623

● Suitable for video output stages in TV sets

● High breakdown voltage

● Low collector-emitter saturation voltage

● Low capacitance

● Complementary type: BF 622 (NPN)

Package¹⁾

SOT-89

Type

Marking

Ordering Code

(tape and reel)

Pin Configuration

BF 623

Q62702-F1053

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

250

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage, RBE = 2.7 kΩ

Emitter-base voltage

Collector current

CE0

CB0

CER

EB0

Peak collector current

100

Total power dissipation, T

= 120 ˚C

tot

Junction temperature

150

˚C

Storage temperature range

Tstg

– 65 … + 150

Thermal Resistance

Junction - ambient²⁾

th JA

th JS

≤ 90

≤ 30

K/W

Junction - soldering point

For detailed information see chapter Package Outlines.

Package mounted on epoxy pcb 40 mm × 40 mm × 1.5 mm/6 cm²Cu.

5.91

Semiconductor Group

12 3 4

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