5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.39 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 12 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BDW93AJ69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| BDW93A-S | BOURNS |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| BDW93B | MOSPEC |
获取价格 |
POWER TRANSISTORS(12A,45-100V,80W) |
|
| BDW93B | POINN |
获取价格 |
NPN SILICON POWER DARLINGTONS |
|
| BDW93B | BOURNS |
获取价格 |
NPN SILICON POWER DARLINGTONS |
|
| BDW93B | MCC |
获取价格 |
NPN Silicon Power Transistors |
|
| BDW93B | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| BDW93B | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| BDW93B | FAIRCHILD |
获取价格 |
Hammer Drivers, Audio Amplifiers Applications |
|
| BDW93B-BP-HF | MCC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
