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BDW93CFTU

更新时间: 2024-11-04 13:05:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 驱动器音频放大器
页数 文件大小 规格书
5页 42K
描述
Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220F, 3 PIN

BDW93CFTU 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-220F
包装说明:TO-220F, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.7外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):12 A集电极-发射极最大电压:100 V
配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE最小直流电流增益 (hFE):100
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT APPLICABLE极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):30 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT APPLICABLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BDW93CFTU 数据手册

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BDW93/A/B/C  
Hammer Drivers,  
Audio Amplifiers Applications  
Power Darlington TR  
Complement to BDW94, BDW94A, BDW94B and BDW94C respectively  
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Collector Current (DC)  
CBO  
: BDW93  
45  
60  
80  
V
V
V
V
: BDW93A  
: BDW93B  
: BDW93C  
100  
V
CEO  
: BDW93  
45  
60  
80  
V
V
V
V
: BDW93A  
: BDW93B  
: BDW93C  
100  
I
I
I
12  
15  
A
A
C
*Collector Current (Pulse)  
Base Current  
CP  
B
0.2  
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
80  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Thermal Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
R
Thermal Resistance  
Junction to Case  
1.5  
°C/W  
θjc  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  

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