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BDW94B-S

更新时间: 2024-11-23 12:58:15
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5页 45K
描述
PNP DARLINGTON 80V 10A

BDW94B-S 数据手册

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January 2005  
BDW94/C  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Power Linear and Switching Application  
Power Darlington TR  
Complement to BDW93 and BDW93C Respectively  
TO-220  
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VCBO  
Collector-Base Voltage  
: BDW94  
: BDW94C  
-45  
-100  
V
V
VCEO  
Collector-Emitter Voltage  
: BDW94  
: BDW94C  
-45  
-100  
V
V
IC  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse) *  
Base Current  
-12  
-15  
A
A
ICP  
IB  
-0.2  
A
PC  
TJ  
Collector Dissipation (TC = 25°C)  
Junction Temperature  
80  
W
°C  
°C  
150  
TSTG  
Storage Temperature  
-65 ~ 150  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
BDW94/C Rev. B  
1
www.fairchildsemi.com  

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