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BDW93B

更新时间: 2024-02-26 10:02:21
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页数 文件大小 规格书
4页 187K
描述
POWER TRANSISTORS(12A,45-100V,80W)

BDW93B 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Transferred零件包装代码:TO-220
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:4
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):12 A
集电极-发射极最大电压:100 V配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE
最小直流电流增益 (hFE):100JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):80 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BDW93B 数据手册

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