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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> BDW93CF
BDW93CF PDF预览

BDW93CF

更新时间： 2024-11-03 22:39:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体驱动器音频放大器晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
4页 44K
描述
Hammer Drivers, Audio Amplifiers Applications

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BDW93CF 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220F包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.77
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：12 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：30 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BDW93CF 数据手册

 浏览型号BDW93CF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BDW93CF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BDW93CF的Datasheet PDF文件第4页 
BDW93CF  
Hammer Drivers,  
Audio Amplifiers Applications  
•
•
Power Darlington TR  
Complement to BDW94CF respectively  
TO-220F  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
100  
Units  
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Collector Current (DC)  
*Collector Current (Pulse)  
Base Current  
V
V
CBO  
CEO  
100  
I
I
I
12  
A
C
15  
A
CP  
B
0.2  
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
30  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
V
BV  
(sus) * Collector-Emitter Sustaining Voltage  
Collector Cut-off Current  
I
= 100mA, I = 0  
100  
CEO  
C
B
I
I
I
V
= 100V, I = 0  
100  
1
µA  
CBO  
CEO  
EBO  
CB  
E
Collector Cut-off Current  
V
V
= 100V, I = 0  
mA  
mA  
CE  
B
Emitter Cut-off Current  
= 5V, I = 0  
2
EB  
C
h
* DC Current Gain  
V
V
V
= 3V, I = 3A  
1000  
750  
100  
FE  
CE  
CE  
CE  
C
= 3V, I = 5A  
20000  
C
= 3V, I = 10A  
C
V
V
V
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
* Parallel Diode Forward Voltage  
I
I
= 5A, I = 20mA  
2
3
V
V
CE  
BE  
F
C
C
B
= 10A, I = 100mA  
B
(sat)  
I
I
= 5A, I = 20mA  
2.5  
4
V
V
C
C
B
= 10A, I = 100mA  
B
I = 5A  
1.3  
1.8  
2
4
V
V
F
I = 10A  
F
* Pulse Test: PW=300µs, duty Cycle =1.5% Pulsed  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BDW93CFI ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 100V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-220AB
BDW93CFP STMICROELECTRONICS

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 		COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
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 		Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
BDW93CJ69Z FAIRCHILD

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 		Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plas
BDW93CTU FAIRCHILD

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 		Power Linear and Switching Applications

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