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BDW93B-TP

更新时间： 2024-11-04 20:08:31
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
2页 764K
描述
Transistor,

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BDW93B-TP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1端子面层：Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：1

BDW93B-TP 数据手册

 浏览型号BDW93B-TP的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
BDW93B  
Micro Commercial Components  
Features  
·
With TO-220 package  
NPN Silicon  
Power Transistors  
·
Intended for use in power linear and switching applications  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
•
Maximum Ratings  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
ICP  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Peak Collector Current  
Collector Current  
Rating  
80  
80  
5.0  
15  
Unit  
V
V
V
A
TO-220  
B
L
M
C
D
IC  
12  
A
PC  
TJ  
TSTG  
Collector power dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
80  
W
OC  
OC  
A
K
-55 to +150  
-55 to +150  
E
F
PIN  
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
G
OFF CHARACTERISTICS  
I
J
V(BR)CEO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
80  
---  
---  
---  
0.1  
2.0  
Vdc  
mAdc  
mAdc  
1
2
3
(I =100mAdc, IB=0)  
C
N
H
H
ICBO  
Collector-Base Cutoff Current  
(VCB=80Vdc,IE=0)  
PIN 1.  
PIN 2.  
PIN 3.  
BASE  
COLLECTOR  
EMITTER  
IEBO  
Emitter-Base Cutoff Current  
(VEB=5.0Vdc, I =0)  
C
ON CHARACTERISTICS  
hFE-1  
Forward Current Transfer ratio  
1000  
750  
100  
---  
---  
20000  
---  
---  
---  
(I =3.0Adc, VCE=3.0Vdc)  
C
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢁꢆꢄꢅ  
hFE-2  
Forward Current Transfer ratio  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
INCHES  
MM  
(I =5.0Adc, VCE=3.0Vdc)  
C
ꢁꢂꢃ  
A
B
ꢃꢂꢄ  
.560  
.380  
.100  
ꢃꢅꢆ  
ꢃꢂꢄ  
14.22  
9.65  
ꢃꢅꢆ  
15.88  
10.67  
3.43  
ꢄꢇꢈꢉ  
hFE-3  
Forward Current Transfer ratio  
---  
.625  
.420  
.135  
(I =10Adc, VCE=3.0Vdc)  
C
C
2.54  
VCE(sat)-1  
VCE(sat)-2  
VBE(sat)-1  
VBE(sat)-2  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(I =5.0Adc, I =20mAdc)  
2.0  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
D
E
.230  
.380  
.270  
.420  
5.84  
9.65  
6.86  
10.67  
C
B
Collector-Emitter Saturation Voltage  
---  
3.0  
F
G
------  
.500  
.250  
.580  
------  
12.70  
6.35  
14.73  
(I =10Adc, IB=100mAdc)  
C
H
.090  
.110  
2.29  
2.79  
Base-Emitter Saturation Voltage  
---  
2.5  
I
J
.020  
.012  
.045  
.025  
0.51  
0.30  
1.14  
0.64  
(I =5.0Adc,IB=20Adc)  
C
K
.139  
.161  
3.53  
4.09  
Base-Emitter Saturation Voltage  
---  
4.0  
L
M
N
.140  
.045  
.080  
.190  
.055  
.115  
3.56  
1.14  
2.03  
4.83  
1.40  
2.92  
(I =10Adc,IB=100Adc)  
C
www.mccsemi.com  
Revision: 2  
2006/05/25  
1 of 2  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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