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BDW93B PDF预览

BDW93B

更新时间： 2024-02-08 03:06:30
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
2页 414K
描述
NPN Silicon Power Transistors

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BDW93B 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：4
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：12 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE
最小直流电流增益 (hFE)：100JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：80 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BDW93B 数据手册

 浏览型号BDW93B的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
BDW93B  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Intended for use in power linear and switching applications  
NPN Silicon  
Power Transistors  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
·
·
Maximum Ratings  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
ICP  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Peak Collector Current  
Collector Current  
Rating  
80  
80  
5.0  
15  
Unit  
V
V
V
A
TO-220  
C
B
S
F
Q
IC  
12  
80  
A
T
PC  
TJ  
TSTG  
Collector power dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
W
OC  
OC  
-55 to +150  
-55 to +150  
A
U
1
2
3
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
H
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
K
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CEO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
80  
---  
---  
---  
0.1  
2.0  
Vdc  
mAdc  
mAdc  
(I =100mAdc, IB=0)  
C
ICBO  
Collector-Base Cutoff Current  
(VCB=80Vdc,IE=0)  
Emitter-Base Cutoff Current  
V
L
J
D
R
IEBO  
G
(VEB=5.0Vdc, I =0)  
C
N
PIN 1.  
PIN 2.  
PIN 3.  
BASE  
COLLECTOR  
EMITTER  
ON CHARACTERISTICS  
hFE-1  
Forward Current Transfer ratio  
1000  
750  
100  
---  
---  
20000  
---  
---  
---  
(I =3.0Adc, VCE=3.0Vdc)  
DIMENSIONS  
C
INCHES  
MM  
hFE-2  
Forward Current Transfer ratio  
MIN  
14.22  
9.65  
MAX  
15.88  
10.67  
NOTE  
DIM  
A
MIN  
MAX  
.625  
(I =5.0Adc, VCE=3.0Vdc)  
C
.560  
.380  
.140  
B
C
.420  
.190  
hFE-3  
Forward Current Transfer ratio  
---  
3.56  
4.82  
(I =10Adc, VCE=3.0Vdc)  
C
D
F
.020  
.139  
.190  
---  
.045  
.161  
.110  
.250  
.025  
0.51  
3.53  
2.29  
---  
1.14  
4.09  
2.79  
6.35  
0.64  
VCE(sat)-1  
VCE(sat)-2  
VBE(sat)-1  
VBE(sat)-2  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(I =5.0Adc, I =20mAdc)  
2.0  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
C
B
G
H
J
Collector-Emitter Saturation Voltage  
---  
3.0  
.012  
0.30  
(I =10Adc, IB=100mAdc)  
C
K
L
.500  
.045  
.580  
.060  
12.70  
1.14  
14.73  
1.52  
Base-Emitter Saturation Voltage  
---  
2.5  
(I =5.0Adc,IB=20Adc)  
C
N
.190  
.210  
4.83  
5.33  
Q
R
S
T
U
V
.100  
.080  
.045  
.230  
-----  
.135  
.115  
.055  
.270  
.050  
-----  
2.54  
2.04  
1.14  
5.84  
-----  
3.43  
2.92  
1.39  
6.86  
1.27  
-----  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(I =10Adc,IB=100Adc)  
C
---  
4.0  
Notes: 1. High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex 7.  
.045  
1.15  
www.mccsemi.com  
Revision: A  
2011/01/01  
1 of 2  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BDW93B-BP-HF MCC

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