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BDW93B

更新时间： 2024-11-18 22:39:31
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6页 151K
描述
NPN SILICON POWER DARLINGTONS

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BDW93B 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.69
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：12 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：100
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BDW93B 数据手册

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BDW93, BDW93A, BDW93B, BDW93C  
NPN SILICON POWER DARLINGTONS  
Copyright © 1997, Power Innovations Limited, UK  
SEPTEMBER 1993 - REVISED MARCH 1997  
●
Designed for Complementary Use with  
BDW94, BDW94A, BDW94B and BDW94C  
TO-220 PACKAGE  
(TOP VIEW)  
●
●
●
80 W at 25°C Case Temperature  
12 A Continuous Collector Current  
1
2
3
B
C
E
Minimum h of 750 at 3 V, 5 A  
FE  
Pin 2 is in electrical contact with the mounting base.  
MDTRACA  
absolute maximum ratings at 25°C case temperature (unless otherwise noted)  
RATING  
SYMBOL  
VALUE  
UNIT  
BDW93  
45  
BDW93A  
BDW93B  
BDW93C  
BDW93  
60  
Collector-base voltage (IE = 0)  
Collector-emitter voltage (IB = 0)  
VCBO  
V
80  
100  
45  
BDW93A  
BDW93B  
BDW93C  
60  
VCEO  
V
80  
100  
Emitter-base voltage  
VEBO  
IC  
5
V
A
Continuous collector current  
Continuous base current  
12  
0.3  
IB  
A
Continuous device dissipation at (or below) 25°C case temperature (see Note 1)  
Continuous device dissipation at (or below) 25°C free air temperature (see Note 2)  
Operating junction temperature range  
Ptot  
Ptot  
Tj  
80  
W
W
°C  
°C  
°C  
2
-65 to +150  
-65 to +150  
-65 to +150  
Storage temperature range  
Tstg  
TA  
Operating free-air temperature range  
NOTES: 1. Derate linearly to 150°C case temperature at the rate of 0.64 W/°C.  
2. Derate linearly to 150°C free air temperature at the rate of 16 mW/°C.  
P R O D U C T  
I N F O R M A T I O N  
Information is current as of publication date. Products conform to specifications in accordance  
with the terms of Power Innovations standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
1
123456

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与BDW93B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BDW93B-BP-HF MCC

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 		Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
BDW93BJ69Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
BDW93B-T MCC

获取价格

 		Transistor
BDW93B-TP MCC

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 		Transistor,
BDW93C SAVANTIC

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 		Silicon NPN Power Transistors
BDW93C ISC

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 		Silicon NPN Power Transistor
BDW93C TGS

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 		Complementary Power Darlington TR
BDW93C BOURNS

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 		NPN SILICON POWER DARLINGTONS
BDW93C STMICROELECTRONICS

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 		COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
BDW93C FAIRCHILD

获取价格

 		Hammer Drivers, Audio Amplifiers Applications

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