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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-218 | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.32 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 15 A | 集电极-发射极最大电压： | 100 V |
| 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JEDEC-95代码： | TO-218 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 130 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 4 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BDV65BG | ONSEMI |
功能相似  |
Complementary Silicon Plastic Power Darlingtons |
|
| BDV64BG | ONSEMI |
功能相似 |
Complementary Silicon Plastic Power Darlingtons |
|
| BDW83C | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BDW84CLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-218, Plasti |
|
| BDW84C-S | BOURNS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| BDW84D | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 |
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| BDW84D | COMSET |
获取价格 |
PNP SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS |
|
| BDW84D | BOURNS |
获取价格 |
PNP SILICON POWER DARLINGTONS |
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| BDW84D | POINN |
获取价格 |
PNP SILICON POWER DARLINGTONS |
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| BDW84D | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| BDW84D | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| BDW91 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 180V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-39 |
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| BDW92 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 180V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-39 |
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