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BDW84C PDF预览

BDW84C

更新时间： 2024-01-16 12:03:40
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率双极晶体管达林顿晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
4页 70K
描述
COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

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BDW84C 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-3
包装说明：FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.21Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：15 A
集电极-发射极最大电压：120 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：750JEDEC-95代码：TO-204AA
JESD-30 代码：O-MBFM-P2元件数量：1
端子数量：2封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：PIN/PEG端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：1 MHzBase Number Matches：1

BDW84C 数据手册

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BDW83C  
BDW84C  
COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON  
TRANSISTORS  
■
BDW83C IS A SGS-THOMSON PREFERRED  
SALESTYPE  
■
■
■
■
COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES  
HIGH CURRENT CAPABILITY  
FAST SWITCHING SPEED  
HIGH DC CURRENT GAIN  
APPLICATIONS  
3
■
LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL  
EQUIPMENT  
2
1
DESCRIPTION  
TO-218  
The BDW83C is a silicon epitaxial-base NPN  
power monolithic Darlington transistor mounted in  
Jedec TO-218 plastic package. It is intended for  
use in power linear and switching applications.  
The complementary type is BDW84C.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
BDW83C  
BDW84C  
100  
Unit  
NPN  
PNP  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Collector-Base Voltage (IE = 0)  
Collector-Emitter Voltage (IB = 0)  
Emitter-Base Voltage (IC = 0)  
Collector Current  
V
V
100  
5
V
15  
A
ICM  
IB  
Collector Peak Current  
Base Current  
40  
A
0.5  
A
o
Ptot  
Tstg  
Tj  
Total Dissipation at Tc ≤ 25 C  
130  
W
oC  
oC  
Storage Temperature  
-65 to 150  
150  
Max. Operating Junction Temperature  
1/4  
June 1997  
1234

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BDW84C 替代型号

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