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BDW93

更新时间： 2024-01-25 04:27:17

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	94K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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BDW93 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	4
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	12 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	80 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BDW93 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

BDW93/A/B/C

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·High DC Current Gain

·DARLINGTON

·Complement to type BDW94/A/B/C

APPLICATIONS

·Hammer drivers,

·Audio amplifiers applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25ꢀ )

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

BDW93

BDW93A

BDW93B

BDW93C

BDW93

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

Open base

100

BDW93A

BDW93B

BDW93C

V_CEO

Collector-emitter voltage

100

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-base voltage

Collector current-DC

Collector current-Pulse

Base current

Open collector

ꢀ

0.2

P_C

T_j

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25ꢀ

150

-65~150

T_stg

ꢀ

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance junction to case

1.5

ꢀ/W

12 3

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