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BDW92

更新时间: 2024-01-30 18:08:55
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 138K
描述
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 180V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-39

BDW92 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.83最大集电极电流 (IC):4 A
集电极-发射极最大电压:180 V配置:DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE):1000JEDEC-95代码:TO-39
JESD-30 代码:O-MBCY-W3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:PNP功耗环境最大值:10 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):2 MHz
VCEsat-Max:2 VBase Number Matches:1

BDW92 数据手册

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