BDW83A

更新时间： 2024-11-02 06:41:59

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	123K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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BDW83A 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.57
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

BDW83A 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

BDW83/83A/83B/83C/83D

DESCRIPTION

·With TO-3PN package

·Complement to type BDW84/84A/84B/84C/84D

·DARLINGTON

·High DC current gain

APPLICATIONS

·For use in power linear and switching

applications.

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings(Tc=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

BDW83

BDW83A

BDW83B

BDW83C

BDW83D

BDW83

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

100

120

BDW83A

BDW83B

BDW83C

BDW83D

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

100

120

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Base current

Open collector

I_B

0.5

T_C=25℃

T_a=25℃

150

3.5

P_C

Collector power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-65~150

℃

T_stg

12 3

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