BDW83D

更新时间： 2024-01-22 14:50:31

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3页	123K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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BDW83D 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.64
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	15 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BDW83D 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

BDW83/83A/83B/83C/83D

DESCRIPTION

·With TO-3PN package

·Complement to type BDW84/84A/84B/84C/84D

·DARLINGTON

·High DC current gain

APPLICATIONS

·For use in power linear and switching

applications.

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings(Tc=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

BDW83

BDW83A

BDW83B

BDW83C

BDW83D

BDW83

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

100

120

BDW83A

BDW83B

BDW83C

BDW83D

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

100

120

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Base current

Open collector

I_B

0.5

T_C=25℃

T_a=25℃

150

3.5

P_C

Collector power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-65~150

℃

T_stg

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BDW83D-S	BOURNS	获取价格	NPN SILICON POWER DARLINGTONS
BDW83-S	BOURNS	获取价格	Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
BDW84	POINN	获取价格	PNP SILICON POWER DARLINGTONS
BDW84	BOURNS	获取价格	PNP SILICON POWER DARLINGTONS
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