BDW84B

更新时间： 2024-11-19 12:51:11

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描述
PNP SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS

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BDW84B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.75	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	15 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JEDEC-95代码：	TO-218	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	3.5 W	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	VCEsat-Max：	4 V
Base Number Matches：	1

BDW84B 数据手册

PNP BDW84 – BDW84A – BDW84B

BDW84C – BDW84D

PNP SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS

They are silicon epitaxial-base PNP power monolithic Darlington transistor mounted in

Jedec TO-218 plastic package.

They are intended for use in power linear and switching applications.

The complementary are BDW83, BDW83A, BDW83B, BDW83C, BDW83D

Compliance to RoHS.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_CEO

Ratings

Value

Unit

BDW84

-45

-60

-80

-100

-120

-45

BDW84A

BDW84B

BDW84C

BDW84D

BDW84

Collector-Emitter Voltage I_B= 0

BDW84A

BDW84B

BDW84C

BDW84D

-60

-80

-100

-120

-5

V_CBO

Collector- Emitter Voltage I_E= 0

V_EBO

I_C

I_B

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Base Current

I_C= 0

-15

-0.5

25°C case temperatur

25°C free aire temperatur

150

3.5

P_t

Total Power Dissipation

T_J

T_Stg

Junction Temperature

Storage Temperature

-65 to +150

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol

Ratings

Value

Unit

R_thJC

R_thJA

Junction to Case Thermal Resistance

Junction to Free Air Thermal Resistance

0.83

35.7

°C/W

23/10/2012

COMSET SEMICONDUCTORS

1 | 3

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BDW84C-S	BOURNS	获取价格	Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,