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BDW83-S

更新时间： 2024-11-19 19:55:43
品牌 Logo 应用领域
伯恩斯 - BOURNS 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 288K
描述
Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, PLASTIC PACKAGE-3

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BDW83-S 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.64
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：15 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BDW83-S 数据手册

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BDW83, BDW83A, BDW83B, BDW83C, BDW83D  
NPN SILICON POWER DARLINGTONS  
G
Designed for Complementary Use with  
BDW84, BDW84A, BDW84B, BDW84C and  
BDW84D  
SOT-93 PACKAGE  
(TOP VIEW)  
B
C
E
1
2
G
G
G
125 W at 25°C Case Temperature  
15 A Continuous Collector Current  
Minimum hFE of 750 at 3 V, 6 A  
3
Pin 2 is in electrical contact with the mounting base.  
MDTRAAA  
absolute maximum ratings at 25°C case temperature (unless otherwise noted)  
RATING  
SYMBOL  
VALUE  
UNIT  
BDW83  
45  
BDW83A  
BDW83B  
BDW
BDW83
DW83  
60  
Collector-base voltage (I = 0)  
V
80  
V
V
E
CBO  
100  
120  
45  
BDW83A  
DW83B  
BDW83C  
BDW83D  
60  
Collector-emitter voltage (I = 0) (see Note 1)  
V
V
80  
B
CEO  
100  
120  
Emitter-base voltage  
5
15  
V
A
EBO  
Continuous collector current  
I
C
Continuous base current  
I
0.5  
A
B
Continuous device dissipation at (olow°C ase temperature (see Note 2)  
Continuous device dissipatio(or ow) °C free air temperature (see Note 3)  
Unclamped inductive load enersee Note 4)  
Operating junction temperature range  
P
P
125  
W
W
mJ  
°C  
°C  
°C  
tot  
3.5  
tot  
2
½LI  
100  
C
T
-65 to +150  
-65 to +150  
-65 to +150  
j
Operating temperature range  
T
stg  
Operating free-air temperature range  
T
A
NOTES: 1. These values apply when the base-emitter diode is open circuited.  
2. Derate linearly to 150°C case temperature at the rate of 1 W/°C.  
3. Derate linearly to 150°C free air temperature at the rate of 28 mW/°C.  
4. This rating is based on the capability of the transistor to operate safely in a circuit of: L = 20 mH, I  
= 5 mA, R = 100 W,  
BE  
B(on)  
V
= 0, R = 0.1 W, V = 20 V.  
S CC  
BE(off)  
P R O D U C T  
I N F O R M A T I O N  
AUGUST 1978 - REVISED JUNE 2011  
Specifications are subject to change without notice.  
1
12345

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2SD1683S ONSEMI

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