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BDW83D

更新时间： 2024-09-27 03:21:39
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伯恩斯 - BOURNS 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
5页 121K
描述
NPN SILICON POWER DARLINGTONS

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BDW83D 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.21
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：15 A集电极-发射极最大电压：120 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BDW83D 数据手册

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BDW83, BDW83A, BDW83B, BDW83C, BDW83D  
NPN SILICON POWER DARLINGTONS  
●
Designed for Complementary Use with  
BDW84, BDW84A, BDW84B, BDW84C and  
BDW84D  
SOT-93 PACKAGE  
(TOP VIEW)  
B
C
E
1
2
●
●
●
150 W at 25°C CaseTemperature  
15 A Continuous Collector Current  
Minimum h of 750 at 3V, 6 A  
FE  
3
Pin 2 is in electrical contact with the mounting base.  
MDTRAAA  
absolute maximum ratings at 25°C case temperature (unless otherwise noted)  
RATING  
SYMBOL  
VALUE  
UNIT  
BDW83  
45  
BDW83A  
BDW83B  
BDW83C  
BDW83D  
BDW83  
60  
Collector-base voltage (IE = 0)  
VCBO  
80  
V
V
100  
120  
45  
BDW83A  
BDW83B  
BDW83C  
BDW83D  
60  
Collector-emitter voltage (IB = 0) (see Note 1)  
VCEO  
80  
100  
120  
Emitter-base voltage  
VEBO  
IC  
5
15  
V
A
Continuous collector current  
Continuous base current  
IB  
0.5  
A
Continuous device dissipation at (or below) 25°C case temperature (see Note 2)  
Continuous device dissipation at (or below) 25°C free air temperature (see Note 3)  
Unclamped inductive load energy (see Note 4)  
Operating junction temperature range  
Ptot  
Ptot  
150  
W
W
mJ  
°C  
°C  
°C  
3.5  
2
½LIC  
100  
Tj  
Tstg  
TA  
-65 to +150  
-65 to +150  
-65 to +150  
Operating temperature range  
Operating free-air temperature range  
NOTES: 1. These values apply when the base-emitter diode is open circuited.  
2. Derate linearly to 150°C case temperature at the rate of 1.2 W/°C.  
3. Derate linearly to 150°C free air temperature at the rate of 28 mW/°C.  
4. This rating is based on the capability of the transistor to operate safely in a circuit of: L = 20 mH, IB(on) = 5 mA, RBE = 100 Ω,  
BE(off) = 0, RS = 0.1 Ω, VCC = 20 V.  
V
AUGUST 1978 - REVISED SEPTEMBER 2002  
Specifications are subject to change without notice.  
1
12345

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BDW83D 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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