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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> BDW74D-S
BDW74D-S PDF预览

BDW74D-S

更新时间： 2024-01-22 06:56:39
品牌 Logo 应用领域
伯恩斯 - BOURNS /
页数 文件大小 规格书
5页 119K
描述
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN

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BDW74D-S 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.54
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：8 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：100JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

BDW74D-S 数据手册

 浏览型号BDW74D-S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BDW74D-S的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BDW74D-S的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BDW74D-S的Datasheet PDF文件第5页 
BDW74, BDW74A, BDW74B, BDW74C, BDW74D  
PNP SILICON POWER DARLINGTONS  
●
Designed for Complementary Use with  
BDW73, BDW73A, BDW73B, BDW73C and  
BDW73D  
TO-220 PACKAGE  
(TOP VIEW)  
●
●
●
80 W at 25°C Case Temperature  
8 A Continuous Collector Current  
1
2
3
B
C
E
Minimum h of 750 at 3V, 3 A  
FE  
Pin 2 is in electrical contact with the mounting base.  
MDTRACA  
absolute maximum ratings at 25°C case temperature (unless otherwise noted)  
RATING  
SYMBOL  
VALUE  
UNIT  
BDW74  
-45  
BDW74A  
BDW74B  
BDW74C  
BDW74D  
BDW74  
-60  
Collector-base voltage (IE = 0)  
VCBO  
-80  
V
V
-100  
-120  
-45  
BDW74A  
BDW74B  
BDW74C  
BDW74D  
-60  
Collector-emitter voltage (IB = 0) (see Note 1)  
VCEO  
-80  
-100  
-120  
Emitter-base voltage  
VEBO  
IC  
-5  
V
A
Continuous collector current  
-8  
Continuous base current  
IB  
-0.3  
80  
A
Continuous device dissipation at (or below) 25°C case temperature (see Note 2)  
Continuous device dissipation at (or below) 25°C free air temperature (see Note 3)  
Unclamped inductive load energy (see Note 4)  
Operating junction temperature range  
Ptot  
Ptot  
W
W
mJ  
°C  
°C  
°C  
2
2
½LIC  
75  
Tj  
Tstg  
TA  
-65 to +150  
-65 to +150  
-65 to +150  
Operating temperature range  
Operating free-air temperature range  
NOTES: 1. These values apply when the base-emitter diode is open circuited.  
2. Derate linearly to 150°C case temperature at the rate of 0.64 W/°C.  
3. Derate linearly to 150°C free air temperature at the rate of 16 mW/°C.  
4. This rating is based on the capability of the transistor to operate safely in a circuit of: L = 20 mH, IB(on) = -5 mA, RBE = 100 Ω,  
BE(off) = 0, RS = 0.1 Ω, VCC = -20 V.  
V
AUGUST 1978 - REVISED SEPTEMBER 2002  
Specifications are subject to change without notice.  
1
12345

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