是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.61 | 最大集电极电流 (IC): | 1.5 A |
配置: | Single | 最小直流电流增益 (hFE): | 40 |
最高工作温度: | 150 °C | 极性/信道类型: | PNP |
最大功率耗散 (Abs): | 8 W | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO | 标称过渡频率 (fT): | 75 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BD140.10 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126 | |
BD14000EFV-C | ROHM |
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BD14000EFV-C是内置支持4~6节电池的分流方式的蓄电元件平衡功能的自我完结型电池 | |
BD14000EFV-C(H2) | ROHM |
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BD14000EFV-C是内置支持4~6节电池的分流方式的蓄电元件平衡功能的自我完结型电池 | |
BD14010 | FAIRCHILD |
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Medium Power Linear and Switching Applications | |
BD140-10 | NXP |
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PNP power transistors | |
BD140-10 | MOTOROLA |
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Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor | |
BD140-10 | ONSEMI |
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POWER TRANSISTORS PNP SILICON | |
BD140-10 | INFINEON |
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PNP SILICON TRANSISTORS | |
BD140-10 | STMICROELECTRONICS |
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Complementary low voltage transistor | |
BD140-10 | CDIL |
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Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plasti |