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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.39 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 63 |
| JEDEC-95代码： | TO-126 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 13 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 75 MHz |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BD14010STU | FAIRCHILD |
功能相似  |
PNP Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD), |
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| BD140G | ONSEMI |
功能相似 |
Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BD140-10-BP | MCC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plasti |
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| BD140-10LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plasti |
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| BD14010S | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plasti |
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| BD14010S | ONSEMI |
获取价格 |
1.5 A, 80 V PNP Power Bipolar Junction Transistor |
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| BD14010STU | ONSEMI |
获取价格 |
1.5 A, 80 V PNP Power Bipolar Junction Transistor |
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| BD14010STU | FAIRCHILD |
获取价格 |
PNP Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD), |
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| BD14016 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Medium Power Linear and Switching Applications |
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| BD140-16 | NXP |
获取价格 |
PNP power transistors |
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| BD140-16 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Complementary low voltage transistor |
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| BD140-16 | UTC |
获取价格 |
暂无描述 |
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