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BD140-10LEADFREE PDF预览

BD140-10LEADFREE

更新时间： 2024-11-02 15:40:23
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 340K
描述
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126, 3 PIN

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BD140-10LEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SIP
包装说明：TO-126, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.13
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：1.5 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：63JEDEC-95代码：TO-126
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN (315)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：160 MHzBase Number Matches：1

BD140-10LEADFREE 数据手册

 浏览型号BD140-10LEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
BD136  
BD138  
BD140  
www.centralsemi.com  
DESCRIPTION:  
SILICON  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR BD136, BD138,  
and BD140 are silicon PNP epitaxial planar transistors  
designed for audio amplifier and switching applications.  
PNP TRANSISTORS  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-126 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL BD136  
BD138  
BD140  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
Continuous Base Current  
Peak Base Current  
V
V
V
45  
45  
60  
60  
5.0  
1.5  
2.0  
0.5  
1.0  
8.0  
100  
80  
V
V
V
A
A
A
A
W
W
CBO  
CEO  
EBO  
I
C
I
CM  
I
B
I
BM  
Power Dissipation (T <70°C)  
P
P
mb  
D
D
Power Dissipation (T =25°C)  
A
1.25  
-65 to +150  
10  
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
°C  
°C/W  
°C/W  
J
stg  
Jmb  
JA  
Θ
Thermal Resistance  
Θ
100  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
I
I
I
V
V
V
=30V  
=30V (T =125°C)  
=5.0V  
100  
10  
100  
nA  
CBO  
CBO  
EBO  
CEO  
CEO  
CEO  
CE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
CB  
CB  
EB  
μA  
nA  
V
V
V
C
BV  
BV  
BV  
V
V
h
h
h
I =30mA (BD136)  
45  
60  
80  
C
I =30mA (BD138)  
C
I =30mA (BD140)  
C
I =500mA, I =50mA  
0.5  
1.0  
V
V
C
B
C
C
C
C
C
V
=2.0V, I =500mA  
=2.0V, I =5.0mA  
=2.0V, I =150mA  
=2.0V, I =500mA  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
V
V
V
V
40  
63  
25  
250  
FE  
FE  
f
=5.0V, I =50mA, f=100MHz  
160  
MHz  
T
BD136-10  
BD138-10  
BD140-10  
BD136-16  
BD138-16  
BD140-16  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
=2.0V, I =150mA  
MIN  
63  
MAX  
160  
MIN  
100  
MAX  
250  
h
V
FE  
CE  
C
R3 (13-March 2014)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD14010S FAIRCHILD

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BD14010S ONSEMI

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BD14010STU ONSEMI

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 		1.5 A, 80 V PNP Power Bipolar Junction Transistor
BD14010STU FAIRCHILD

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 		PNP Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD),
BD14016 FAIRCHILD

获取价格

 		Medium Power Linear and Switching Applications
BD140-16 NXP

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 		PNP power transistors
BD140-16 STMICROELECTRONICS

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BD140-16 UTC

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 		暂无描述
BD140-16 CENTRAL

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