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BD14010STU PDF预览

BD14010STU

更新时间： 2024-11-02 19:25:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 40K
描述
PNP Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD), 1920/RAIL

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BD14010STU 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-126
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：7.32
最大集电极电流 (IC)：1.5 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：63
JEDEC-95代码：TO-126JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：12.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BD14010STU 数据手册

 浏览型号BD14010STU的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BD14010STU的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BD14010STU的Datasheet PDF文件第4页 
BD136/138/140  
Medium Power Linear and Switching  
Applications  
•
Complement to BD135, BD137 and BD139 respectively  
TO-126  
1. Emitter 2.Collector 3.Base  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
: BD136  
: BD138  
: BD140  
- 45  
- 60  
- 80  
V
V
V
CBO  
: BD136  
: BD138  
: BD140  
- 45  
- 60  
- 80  
V
V
V
CEO  
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
- 5  
- 1.5  
V
A
EBO  
I
I
C
- 3.0  
A
CP  
B
I
- 0.5  
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
12.5  
W
W
°C  
°C  
C
C
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
1.25  
C
a
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
* Collector-Emitter Sustaining Voltage  
CEO  
: BD136  
: BD138  
: BD140  
I = - 30mA, I = 0  
- 45  
- 60  
- 80  
V
V
V
C
B
I
I
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
V
= - 30V, I = 0  
- 0.1  
- 10  
µA  
µA  
CBO  
EBO  
CB  
E
V
= - 5V, I = 0  
C
EB  
h
h
h
V
V
V
= - 2V, I = - 5mA  
25  
25  
40  
FE1  
FE2  
FE3  
CE  
CE  
CE  
C
= - 2V, I = - 0.5A  
C
= - 2V, I = - 150mA  
250  
- 0.5  
- 1  
C
V
V
(sat)  
(on)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter ON Voltage  
I = - 500mA, I = - 50mA  
V
V
CE  
C
B
V
= - 2V, I = - 0.5A  
BE  
CE  
C
* Pulse Test: PW=350µs, duty Cycle=2% Pulsed  
h
Classificntion  
FE  
Classification  
6
10  
16  
100 ~ 250  
h
40 ~ 100  
63 ~ 160  
FE3  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
1234

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BD14010STU 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BD14010S FAIRCHILD

完全替代

 Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plasti
BD140G ONSEMI

功能相似

 Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor
BD140 STMICROELECTRONICS

功能相似

 PNP SILICON TRANSISTORS

与BD14010STU相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD14016 FAIRCHILD

获取价格

 		Medium Power Linear and Switching Applications
BD140-16 NXP

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 		PNP power transistors
BD140-16 STMICROELECTRONICS

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 		Complementary low voltage transistor
BD140-16 UTC

获取价格

 		暂无描述
BD140-16 CENTRAL

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 		80V,1.5A,1.25W Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP General Purpose Amplifier/S
BD140-16-BP MCC

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 		Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plasti
BD140-16LEADFREE CENTRAL

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 		Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plasti
BD14016S FAIRCHILD

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 		PNP Epitaxial Silicon Transistor
BD14016S ONSEMI

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 		1.5 A, 80 V PNP Power Bipolar Junction Transistor
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 		PNP Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD),

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