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BD140-10 PDF预览

BD140-10

更新时间： 2024-11-01 22:39:31
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 107K
描述
Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor

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BD140-10 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.81最大集电极电流 (IC)：1.5 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：63JEDEC-95代码：TO-225AA
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：PNP功耗环境最大值：12.5 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONVCEsat-Max：0.5 V
Base Number Matches：1

BD140-10 数据手册

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by BD136/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
. . . designed for use as audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi  
complementary circuits.  
•
•
DC Current Gain — h = 40 (Min) @ I = 0.15 Adc  
FE C  
BD 136, 138, 140 are complementary with BD 135, 137, 139  
1.5 AMPERE  
POWER TRANSISTORS  
PNP SILICON  
45, 60, 80 VOLTS  
10 WATTS  
CASE 77–08  
TO–225AA TYPE  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Type  
Value  
Unit  
Collector–Emitter Voltage  
V
V
V
BD 136  
BD 138  
BD 140  
45  
60  
80  
Vdc  
CEO  
CBO  
EBO  
Collector–Base Voltage  
BD 136  
BD 138  
BD 140  
45  
60  
100  
Vdc  
Emitter–Base Voltage  
Collector Current  
Base Current  
5
Vdc  
Adc  
Adc  
I
C
1.5  
0.5  
I
B
Total Device Dissipation@ T = 25 C  
A
Derate above 25 C  
P
D
1.25  
10  
Watts  
mW/ C  
Total Device Dissipation @ T = 25 C  
C
Derate above 25 C  
P
D
12.5  
100  
Watt  
mW/ C  
Operating and Storage Junction  
Temperarture Range  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
C
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
10  
Unit  
C/W  
C/W  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
θ
θ
JC  
JA  
100  
REV 7  
Motorola, Inc. 1995
1234

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