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BD140-10

更新时间： 2024-11-02 20:31:03

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Transistor

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BD140-10 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.59
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	1.5 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	63
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	12.5 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

BD140-10 数据手册

UTC BD136/138/140

PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR

PNP SILICON TRANSISTOR

DESCRIPTION

The UTC BD136/BD138/BD140 are silicon epitaxial

planer PNP transistor ,designed for use as audio amplifiers

and drivers utilizing complementary or quasi complementary

circuits.

The complementary NPN types are the BD135/BD137/

BD139.

TO-126

1:EMITTER 2:COLLECTOR 3:BASE

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PARAMETER

SYMBOL

RATING

UNIT

Collector-Base Voltage

BD136

BD138

BD140

-45

-60

-80

V_CBO

Collector-Emitter Voltage

BD136

BD138

BD140

-45

-60

-80

V_CEO

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Collector Peak Current

Base Current

V_EBO

IcM

I_B

-5

-1.5

-3

-0.5

12.5

1.25

-65 ~ 150

150

Total Dissipation

(Tc≦25°C)

(Ta≦25°C)

°C

Ptot

Storage Temperature

Operating Junction Temperature

Tstg

THERMAL CHARACTERISTICS

PARAMETER

SYMBOL

MAX

UNIT

Thermal Resistance, Junction-case

Thermal Resistance, Junction-ambient

θ_jc

100

°C/W

θ_jA

UTC

UNISONIC TECHNOLOGIES CO. LTD

QW-R204-013,B

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BD140-10LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plasti
BD14010S	FAIRCHILD	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plasti
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