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BCX68-25E6327

更新时间： 2024-09-14 14:41:03
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 514K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

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BCX68-25E6327 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.14
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：20 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：160
JESD-30 代码：R-PSSO-F3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：1 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

BCX68-25E6327 数据手册

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BCX68...  
NPN Silicon AF Transistors  
1
• For general AF applications  
• High collector current  
2
3
2
• High current gain  
• Low collector-emitter saturation voltage  
• Complementary type: BCX69 (PNP)  
• Pb-free (RoHS compliant) package  
• Qualified according AEC Q101  
Type  
Marking  
CB  
CC  
Pin Configuration  
Package  
BCX68-10  
BCX68-16  
BCX68-25  
1=B  
1=B  
1=B  
2=C  
2=C  
2=C  
3=E  
3=E  
3=E  
SOT89  
SOT89  
SOT89  
CD  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
20  
25  
5
V
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
CEO  
CBO  
EBO  
1
A
I
C
2
Peak collector current, t ≤ 10 ms  
I
p
CM  
100  
200  
3
mA  
W
Base current  
Peak base current  
Total power dissipation-  
I
B
I
BM  
P
tot  
T ≤ 114 °C  
S
150  
°C  
Junction temperature  
Storage temperature  
T
j
T
-65 ... 150  
stg  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction - soldering point  
Symbol  
Value  
≤ 12  
Unit  
K/W  
1)  
R
thJS  
1
For calculation of R  
please refer to Application Note AN077 (Thermal Resistance Calculation)  
thJA  
2011-10-06  
1
1234567

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BCX68-25E6327 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BCX68-25 INFINEON

完全替代

 NPN Silicon AF Transistors (For general AF applications High collector current)
BCX68-10 INFINEON

完全替代

 NPN Silicon AF Transistors (For general AF applications High collector current)

与BCX68-25E6327相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BCX6825E6327HTSA1 INFINEON

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-89, 3
BCX68-25E6433 INFINEON

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
BCX6825Q DIODES

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 		NPN, 20V, 1A, SOT89
BCX6825QTA DIODES

获取价格

 		20V NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89
BCX6825TA DIODES

获取价格

 		20V NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89
BCX68-25TA DIODES

获取价格

 		1000mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BCX68-25TC DIODES

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 		Transistor,
BCX68CB NEC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, POWER, PL
BCX68CC NEC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, POWER, PL
BCX68CD NEC

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