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BCX69

更新时间： 2024-09-14 22:39:31

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
4页	148K
描述
PNP Silicon AF Transistors (For general AF applications High collector current)

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BCX69 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT-89	包装说明：	SOT-89, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.15
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	85	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

BCX69 数据手册

PNP Silicon AF Transistors

BCX 69

● For general AF applications

● High collector current

● High current gain

● Low collector-emitter saturation voltage

● Complementary type: BCX 68 (NPN)

Package¹⁾

Type

Marking

Ordering Code

(tape and reel)

Pin Configuration

BCX 69

–

Q62702-C1714

Q62702-C1867

Q62702-C1868

Q62702-C1869

SOT-89

BCX 69-10

BCX 69-16

BCX 69-25

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CE0

CB0

EB0

Peak collector current

Base current

100

200

Peak base current

Total power dissipation, T

Junction temperature

= 130 ˚C

Ptot

150

˚C

Storage temperature range

Tstg

– 65 … + 150

Thermal Resistance

Junction - ambient ²⁾

th JA

th JS

≤ 75

≤ 20

K/W

Junction - soldering point

For detailed information see chapter Package Outlines.

Package mounted on epoxy pcb 40 mm × 40 mm × 1.5 mm/6 cm²Cu.

5.91

Semiconductor Group

12 3 4

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