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BCX6916H6327XTSA1

更新时间： 2024-09-15 15:36:35

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英飞凌 - INFINEON		放大器晶体管
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

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BCX6916H6327XTSA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	End Of Life
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	5.74	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
参考标准：	AEC-Q101	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

BCX6916H6327XTSA1 数据手册

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BCX69...

PNP Silicon AF Transistors

• For general AF applications

• High collector current

• High current gain

• Low collector-emitter saturation voltage

• Complementary type: BCX68 (NPN)

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

Type

Marking

Pin Configuration

Package

BCX69-10

BCX69-16

BCX69-25

1=B

2=C

3=E

SOT89

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CEO

CBO

EBO

Peak collector current, t ≤ 10 ms

100

200

Base current

Peak base current

Total power dissipation-

tot

T = 114 °C

150

°C

Junction temperature

Storage temperature

-65 ... 150

stg

Thermal Resistance

Parameter

Junction - soldering point

Symbol

Value

≤ 12

Unit

K/W

thJS

For calculation of R

please refer to Application Note AN077 (Thermal Resistance Calculation)

thJA

2011-10-05

12 3 4 5 6 7

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BCX69-25	TYSEMI	获取价格	For general AF applications. High collector current. High current gain.
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