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BCX69-25

更新时间： 2024-11-04 22:39:31

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PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

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BCX69-25 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.22
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	1 A
基于收集器的最大容量：	25 pF	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	160
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	VCEsat-Max：	0.5 V
Base Number Matches：	1

BCX69-25 数据手册

SOT89 PNP SILICON PLANAR

MEDIUM POWER TRANSISTOR

BCX69

ISSUE 2 – FEBRUARY 1995

✪

FEATURES

High gain and low saturation voltages

COMPLEMENTARY TYPE –

PARTMARKING DETAIL –

BCX68

BCX69

– CJ

BCX69-16 – CG

BCX69-25 – CH

SOT89

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

S YMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Co lle cto r-Ba s e Vo lta g e

-25

Co lle cto r-Em itte r Vo lta g e

Em itte r-Ba s e Vo lta g e

-20

-5

Pe ak Pu ls e Cu rre n t

-2

Co n tin u o u s Co lle cto r Cu rre n t

Po w er Dis s ip a tio n a t T_{a m b}=25°C

Op e ratin g a n d S to ra g e Te m p e ratu re Ra n g e

I_C

-1

P_{to t}

°C

T_j:T_{s tg}

-65 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherw ise stated).

am b

PARAMETER

S YMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS .

Co lle cto r-Ba s e

Bre a kd o w n vo lta g e

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

-25

-20

-5

IC =-100µA

IC =-10m A

I_E=-100µA

V_CB=-25V

Co lle cto r-Em itte r

Bre a kd o w n Vo ltag e

Em itte r-Ba s e

Bre a kd o w n Vo ltag e

Co lle cto r Cu t-Off

Cu rre n t

-0.1

-10

µA

V_CB=-25V, T_{a m b}=150°C

Em itte r Cu t-Off Cu rren t I_EBO

-10

V_EB=-5V

µA

Co lle cto r-Em itte r

S atu ra tio n Vo lta g e

V_{CE(s a t)}

V_{BE(o n )}

h_FE

-0.5

I_C=-1A, I_B=-100m A

Bas e -Em itte r Tu rn -On

Vo lta g e

-1.0

I_C=-1A, V_CE=-1V

S tatic Fo rw a rd Cu rren t

Tran s fe r Ra tio

I_C=-5m A, V_CE=-1V

I_C=-500m A, V_CE=-1V

I_C=-1A, V_CE=-1V*

375

BCX69-16 100

BCX69-25 160

250

400

I_C=-500m A, V_CE=-1V*

I_C=-500m A, V_CE=-1V

250

Tran s itio n Fre q u e n cy

Ou tp u t Ca p a cita n ce

f_T

100

MHz I_C=-100m A, V_CE=-5V,

f=100MHz

C_{o b o}

p F

V_CB=-10V, f=1MHz

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%

For typical characteristics graphs see FMMT549 datasheet.

3 - 37

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BCX69DB	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, POWER, PL
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