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BCX6925H6327XTSA1

更新时间： 2024-11-06 15:36:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 528K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

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BCX6925H6327XTSA1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：End Of Life
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：6 weeks
风险等级：7外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：20 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：160
JESD-30 代码：R-PSSO-F3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
参考标准：AEC-Q101表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

BCX6925H6327XTSA1 数据手册

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BCX69...  
PNP Silicon AF Transistors  
1
• For general AF applications  
• High collector current  
2
3
2
• High current gain  
• Low collector-emitter saturation voltage  
• Complementary type: BCX68 (NPN)  
• Pb-free (RoHS compliant) package  
• Qualified according AEC Q101  
Type  
Marking  
CF  
CG  
Pin Configuration  
Package  
BCX69-10  
BCX69-16  
BCX69-25  
1=B  
1=B  
1=B  
2=C  
2=C  
2=C  
3=E  
3=E  
3=E  
SOT89  
SOT89  
SOT89  
CH  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
20  
25  
5
V
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
CEO  
CBO  
EBO  
1
A
I
C
2
Peak collector current, t ≤ 10 ms  
I
p
CM  
100  
200  
3
mA  
W
Base current  
Peak base current  
Total power dissipation-  
I
B
I
BM  
P
tot  
T = 114 °C  
S
150  
°C  
Junction temperature  
Storage temperature  
T
j
T
-65 ... 150  
stg  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction - soldering point  
Symbol  
Value  
≤ 12  
Unit  
K/W  
1)  
R
thJS  
1
For calculation of R  
please refer to Application Note AN077 (Thermal Resistance Calculation)  
thJA  
2011-10-05  
1
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BCX69-25TA DIODES

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