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BCX69-10

更新时间: 2024-11-23 22:25:19
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
4页 148K
描述
PNP Silicon AF Transistors (For general AF applications High collector current)

BCX69-10 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:End Of Life零件包装代码:SOT-89
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.25外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):1 A集电极-发射极最大电压:20 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):85
JESD-30 代码:R-PSSO-F3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzBase Number Matches:1

BCX69-10 数据手册

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PNP Silicon AF Transistors  
BCX 69  
For general AF applications  
High collector current  
High current gain  
Low collector-emitter saturation voltage  
Complementary type: BCX 68 (NPN)  
Package1)  
Type  
Marking  
Ordering Code  
(tape and reel)  
Pin Configuration  
1
2
3
BCX 69  
Q62702-C1714  
Q62702-C1867  
Q62702-C1868  
Q62702-C1869  
B
C
E
SOT-89  
BCX 69-10  
BCX 69-16  
BCX 69-25  
CF  
CG  
CH  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
20  
Unit  
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
CE0  
CB0  
EB0  
V
V
V
25  
5
I
I
I
I
C
1
A
Peak collector current  
Base current  
CM  
2
B
100  
200  
1
mA  
Peak base current  
Total power dissipation, T  
Junction temperature  
BM  
S
= 130 ˚C  
Ptot  
W
T
j
150  
˚C  
Storage temperature range  
Tstg  
– 65 … + 150  
Thermal Resistance  
Junction - ambient 2)  
R
th JA  
th JS  
75  
20  
K/W  
R
Junction - soldering point  
1)  
For detailed information see chapter Package Outlines.  
Package mounted on epoxy pcb 40 mm × 40 mm × 1.5 mm/6 cm2 Cu.  
2)  
5.91  
Semiconductor Group  
1

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型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
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