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BCX69-16E6327

更新时间: 2024-11-06 03:29:59
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英飞凌 - INFINEON 晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 105K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

BCX69-16E6327 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.45外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):1 A集电极-发射极最大电压:20 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):100
JESD-30 代码:R-PSSO-F3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):1 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHz

BCX69-16E6327 数据手册

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BCX69-16E6327 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BCX69-25E6327 INFINEON

完全替代

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BCX69-25 INFINEON

完全替代

PNP Silicon AF Transistors (For general AF applications High collector current)
BCX69-10E6327 INFINEON

类似代替

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

与BCX69-16E6327相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BCX69-16E6433 INFINEON

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BCX6916H6327XTSA1 INFINEON

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BCX69-16TA ZETEX

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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BCX69-16TA DIODES

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BCX6925 DIODES

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PNP, 20V, 1A, SOT89
BCX69-25 KEXIN

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PNP Silicon AF Transistors
BCX69-25 TYSEMI

获取价格

For general AF applications. High collector current. High current gain.
BCX69-25 DIODES

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-89, 3
BCX69-25 INFINEON

获取价格

PNP Silicon AF Transistors (For general AF applications High collector current)
BCX69-25 ZETEX

获取价格

PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR