5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.6 | 其他特性： | FOR TRANSISTOR2 HFE IS 110 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 30 V | 配置： | COMMON BASE, 2 ELEMENTS |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 110 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 4 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BCV61B | NEXPERIA |
完全替代  |
NPN general-purpose double transistorsProduction |
|
| BCV61 | NXP |
类似代替 |
NPN general purpose double transistor |
|
| BCV61B | NXP |
类似代替 |
NPN general purpose double transistor |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCV61-A | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-143 |
|
| BCV61A,215 | NXP |
获取价格 |
BCV61 - NPN general-purpose double transistors SOT-143 4-Pin |
|
| BCV61A-E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
| BCV61A-E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
| BCV61AT/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 30 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-4, B |
|
| BCV61A-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
|
| BCV61A-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
|
| BCV61B | TYSEMI |
获取价格 |
High current gain Low collector-emitter saturation voltage |
|
| BCV61B | NXP |
获取价格 |
NPN general purpose double transistor |
|
| BCV61B | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon Double Transistors (To be used as a current mirror Good thermal coupling and V |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
