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BCV61A

更新时间： 2024-02-13 00:10:43

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安世 - NEXPERIA		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	2287K
描述
NPN general-purpose double transistorsProduction

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BCV61A 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT-143
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.07	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	CURRENT MIRROR	最小直流电流增益 (hFE)：	110
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	0.3 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	VCEsat-Max：	0.6 V
Base Number Matches：	1

BCV61A 数据手册

BCV61

NPN general-purpose double transistors

Rev. 04 — 18 December 2009

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

NPN general-purpose double transistors in a small SOT143B Surface-Mounted

Device (SMD) plastic package.

Table 1.

Product overview

Type number

Package

Nexperia

SOT143B

PNP complement

JEITA

BCV61

BCV62

BCV61A

BCV61B

BCV61C

BCV62A

BCV62B

BCV62C

1.2 Features

Low current (max. 100 mA)

Low voltage (max. 30 V)

Matched pairs

1.3 Applications

Applications with working point independent of temperature

Current mirrors

2. Pinning information

Table 2.

Pinning

Description

Simplified outline

Graphic symbol

collector TR2;

base TR1 and TR2

collector TR1

emitter TR1

emitter TR2

TR2

TR1

006aaa842

12 3 4 5 6 7...13

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与BCV61A相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BCV61-A	INFINEON	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-143	获取价格
BCV61A,215	NXP	BCV61 - NPN general-purpose double transistors SOT-143 4-Pin	获取价格
BCV61A-E6327	INFINEON	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon	获取价格
BCV61A-E6433	INFINEON	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon	获取价格
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