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BCV61C-E6433

更新时间: 2024-11-23 15:28:31
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英飞凌 - INFINEON 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 94K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

BCV61C-E6433 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.38外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:30 V
配置:CURRENT MIRROR最小直流电流增益 (hFE):420
JESD-30 代码:R-PDSO-G4JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.3 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):250 MHz
Base Number Matches:1

BCV61C-E6433 数据手册

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