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BCV62A

更新时间: 2024-11-18 22:36:59
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 55K
描述
PNP general purpose double transistor

BCV62A 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred包装说明:PLASTIC PACKAGE-4
针数:4Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.16Is Samacsys:N
其他特性:FOR TRANSISTOR2 HFE IS 125外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:30 V
配置:CURRENT MIRROR最小直流电流增益 (hFE):100
JESD-30 代码:R-PDSO-G4JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzVCEsat-Max:0.65 V
Base Number Matches:1

BCV62A 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BCV62  
PNP general purpose  
double transistor  
1999 Apr 08  
Product specification  
Supersedes data of 1997 Jun 18  

BCV62A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BCV62 NXP

完全替代

PNP general purpose double transistor

与BCV62A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BCV62A,215 ETC

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BCV62A,235 NXP

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BCV62A-E6327 INFINEON

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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BCV62AE6327HTSA1 INFINEON

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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
BCV62A-E6433 INFINEON

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暂无描述
BCV62AT/R ETC

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TRANSISTOR | BJT | ARRAY | BLDG BLOCK | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-143
BCV62A-TAPE-13 NXP

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TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
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