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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.07 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 30 V |
| 配置： | CURRENT MIRROR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 300 MHz | VCEsat-Max： | 0.25 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCV62 | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon |
|
| BCV62 | NXP |
获取价格 |
PNP general purpose double transistor |
|
| BCV62 | NEXPERIA |
获取价格 |
PNP general-purpose double transistorsProduction |
|
| BCV62 | INFINEON |
获取价格 |
PNP Silicon Double Transistors (To be used as a current mirror Good thermal coupling and V |
|
| BCV62 | TYSEMI |
获取价格 |
High current gain Low collector-emitter saturation voltage |
|
| BCV62 | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
30V,0.1A,General Purpose PNP Bipolar Transistor |
|
| BCV62 | KEXIN |
获取价格 |
Dual PNP Transistor |
|
| BCV62,215 | NXP |
获取价格 |
BCV62 - PNP general-purpose double transistors SOT-143 4-Pin |
|
| BCV62,235 | ETC |
获取价格 |
TRANS PNP 30V 100MA DUAL SOT143B |
|
| BCV62/T3 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-4, BIP General |
|
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