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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.07 |
| 其他特性： | FOR TRANSISTOR2 HFE IS 110 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 30 V |
| 配置： | COMMON BASE, 2 ELEMENTS | 最小直流电流增益 (hFE)： | 110 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.6 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCV61A-TAPE-13 | NXP |
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TRANSISTOR 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| BCV61A-TAPE-7 | NXP |
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TRANSISTOR 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| BCV61B | TYSEMI |
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High current gain Low collector-emitter saturation voltage |
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| BCV61B | NXP |
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NPN general purpose double transistor |
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| BCV61B | INFINEON |
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NPN Silicon Double Transistors (To be used as a current mirror Good thermal coupling and V |
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| BCV61B | NEXPERIA |
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NPN general-purpose double transistorsProduction |
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| BCV61B | BL Galaxy Electrical |
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30V,0.1A,Medium Power NPN Bipolar Transistor |
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| BCV61-B | INFINEON |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-143 |
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| BCV61B,215 | NXP |
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BCV61 - NPN general-purpose double transistors SOT-143 4-Pin |
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| BCV61B,235 | NXP |
获取价格 |
BCV61 - NPN general-purpose double transistors SOT-143 4-Pin |
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