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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 1.6 |
| 其他特性： | FOR TRANSISTOR2 HFE IS 420 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 30 V |
| 配置： | COMMON BASE, 2 ELEMENTS | 最小直流电流增益 (hFE)： | 420 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 4 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BCV61B | NEXPERIA |
完全替代  |
NPN general-purpose double transistorsProduction |
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| BCV61 | NXP |
类似代替 |
NPN general purpose double transistor |
|
| BCV61B | NXP |
类似代替 |
NPN general purpose double transistor |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCV61-C | INFINEON |
获取价格 |
200mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
|
| BCV61C,215 | NXP |
获取价格 |
BCV61 - NPN general-purpose double transistors SOT-143 4-Pin |
|
| BCV61C-E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
| BCV61C-E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
| BCV61CQ62702-C2157 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR DUAL SOT 143 5ST |
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| BCV61CT/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 30 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-4, B |
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| BCV61C-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
|
| BCV61C-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
|
| BCV61C-TP-HF | MCC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, |
|
| BCV61-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 30 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-4, B |
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