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BCV61

更新时间: 2024-01-13 18:02:08
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恩智浦 - NXP 晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 55K
描述
NPN general purpose double transistor

BCV61 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.07最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:30 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):100JESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:4封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:TIN端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):300 MHz
VCEsat-Max:0.25 VBase Number Matches:1

BCV61 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
M3D071  
BCV61  
NPN general purpose double  
transistor  
1999 Apr 08  
Product specification  
Supersedes data of 1997 Jun 16  

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