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BCV61/T3

更新时间： 2024-11-19 19:52:59

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	138K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 30 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-4, BIP General Purpose Small Signal

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BCV61/T3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.07
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	COMMON BASE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	110	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	元件数量：	2
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	VCEsat-Max：	0.6 V
Base Number Matches：	1

BCV61/T3 数据手册

BCV61

NPN general-purpose double transistors

Rev. 04 — 18 December 2009

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

NPN general-purpose double transistors in a small SOT143B Surface-Mounted

Device (SMD) plastic package.

Table 1.

Product overview

Type number

Package

NXP

PNP complement

JEITA

BCV61

SOT143B

BCV62

BCV61A

BCV61B

BCV61C

BCV62A

BCV62B

BCV62C

1.2 Features

Low current (max. 100 mA)

Low voltage (max. 30 V)

Matched pairs

1.3 Applications

Applications with working point independent of temperature

Current mirrors

2. Pinning information

Table 2.

Pinning

Description

Simplified outline

Graphic symbol

collector TR2;

base TR1 and TR2

collector TR1

emitter TR1

emitter TR2

TR2

TR1

006aaa842

12 3 4 5 6 7...13

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