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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.38 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 30 V | 配置： | CURRENT MIRROR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 110 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCV61A-E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| BCV61AT/R | NXP |
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TRANSISTOR 100 mA, 30 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-4, B |
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| BCV61A-TAPE-13 | NXP |
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TRANSISTOR 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| BCV61A-TAPE-7 | NXP |
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TRANSISTOR 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| BCV61B | TYSEMI |
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High current gain Low collector-emitter saturation voltage |
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| BCV61B | NXP |
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NPN general purpose double transistor |
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| BCV61B | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon Double Transistors (To be used as a current mirror Good thermal coupling and V |
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| BCV61B | NEXPERIA |
获取价格 |
NPN general-purpose double transistorsProduction |
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| BCV61B | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
30V,0.1A,Medium Power NPN Bipolar Transistor |
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| BCV61-B | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-143 |
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