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BCV61A

更新时间： 2024-02-18 10:33:07

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安世 - NEXPERIA		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	2287K
描述
NPN general-purpose double transistorsProduction

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BCV61A 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT-143
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.07	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	CURRENT MIRROR	最小直流电流增益 (hFE)：	110
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	0.3 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	VCEsat-Max：	0.6 V
Base Number Matches：	1

BCV61A 数据手册

BCV61

Nexperia

NPN general-purpose double transistors

mgt723

mgt724

400

1200

(mV)

1000

(1)

300

(1)

(2)

800

600

400

200

(2)

(3)

200

100

(3)

−1

(mA)

I (mA)

V_CE= 5 V

(1) T_amb= 150 °C

(2) _amb= 25 °C

(3) T_amb= −55 °C

V_CE= 5 V

(1) T_amb= −55 °C

(2) _amb= 25 °C

(3) T_amb= 150 °C

Fig 1. BCV61A: DC current gain as a function of

collector current; typical values

Fig 2. BCV61A: Base-emitter voltage as a function of

collector current; typical values

mgt725

mgt726

1200

BEsat

(mV)

1000

(mV)

CEsat

(1)

(2)

800

600

400

200

(1)

(2)

(3)

−1

(mA)

I (mA)

I_C/I_B= 20

(1) T_amb= 150 °C

(2) _amb= 25 °C

(3) T_amb= −55 °C

I_C/I_B= 10

(1) T_amb= −55 °C

(2) _amb= 25 °C

(3) T_amb= 150 °C

Fig 3. BCV61A: Collector-emitter saturation voltage

as a function of collector current; typical

values

Fig 4. BCV61A: Base-emitter saturation voltage as a

function of collector current; typical values

BCV61

Product data sheet

Rev. 04 — 18 December 2009

5 of 13

1 2 3 456 7 8...13

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与BCV61A相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BCV61-A	INFINEON	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-143	获取价格
BCV61A,215	NXP	BCV61 - NPN general-purpose double transistors SOT-143 4-Pin	获取价格
BCV61A-E6327	INFINEON	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon	获取价格
BCV61A-E6433	INFINEON	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon	获取价格
BCV61AT/R	NXP	TRANSISTOR 100 mA, 30 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-4, B	获取价格
BCV61A-TAPE-13	NXP	TRANSISTOR 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa	获取价格