BCV61

更新时间： 2024-09-17 22:39:31

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管光电二极管
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5页	98K
描述
NPN Silicon Double Transistors (To be used as a current mirror Good thermal coupling and VBE matching)

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BCV61 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT-143
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.07	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	CURRENT MIRROR	最小直流电流增益 (hFE)：	110
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
Base Number Matches：	1

BCV61 数据手册

NPN Silicon Double Transistors

BCV 61

Preliminary Data

● To be used as a current mirror

● Good thermal coupling and VBE matching

● High current gain

● Low emitter-saturation voltage

Package¹⁾

Type

Marking

Ordering Code

(tape and reel)

Pin Configuration

BCV 61 A

BCV 61 B

BCV 61 C

1Js

1Ks

1Ls

Q62702-C2155

Q62702-C2156

Q62702-C2157

SOT-143

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Collector-emitter voltage

(transistor T1)

CE0

CB0

EBS

Collector-base voltage (open emitter)

(transistor T1)

Emitter-base voltage

Collector current

100

Collector peak current

200

Base peak current (transistor T1)

Total power dissipation, T^S≤ 99 ˚C²⁾

Junction temperature

200

tot

300

˚C

150

Storage temperature range

Tstg

– 65 … + 150

Thermal Resistance

Junction - ambient²⁾

th JA

th JS

≤ 240

≤ 170

K/W

Junction - soldering point

For detailed information see chapter Package Outlines.

Package mounted on epoxy pcb 40 mm × 40 mm × 1.5 mm/6 cm²Cu.

5.91

Semiconductor Group

12 3 4 5

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