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BCV61

更新时间： 2024-11-24 11:11:27

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安世 - NEXPERIA		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	2287K
描述
NPN general-purpose double transistorsProduction

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BCV61 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.58
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	COMMON BASE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	110
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

BCV61 数据手册

BCV61

NPN general-purpose double transistors

Rev. 04 — 18 December 2009

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

NPN general-purpose double transistors in a small SOT143B Surface-Mounted

Device (SMD) plastic package.

Table 1.

Product overview

Type number

Package

Nexperia

SOT143B

PNP complement

JEITA

BCV61

BCV62

BCV61A

BCV61B

BCV61C

BCV62A

BCV62B

BCV62C

1.2 Features

Low current (max. 100 mA)

Low voltage (max. 30 V)

Matched pairs

1.3 Applications

Applications with working point independent of temperature

Current mirrors

2. Pinning information

Table 2.

Pinning

Description

Simplified outline

Graphic symbol

collector TR2;

base TR1 and TR2

collector TR1

emitter TR1

emitter TR2

TR2

TR1

006aaa842

12 3 4 5 6 7...13

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