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BC857BS

更新时间: 2024-09-12 22:54:03
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恩智浦 - NXP 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 49K
描述
PNP general purpose double transistor

BC857BS 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SC-88
包装说明:PLASTIC, SC-88, 6 PIN针数:6
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:3.45
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:45 V配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE):200JESD-30 代码:R-PDSO-G6
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:2端子数量:6
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
Base Number Matches:1

BC857BS 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
handbook, halfpage  
BC857BS  
PNP general purpose double  
transistor  
1999 Apr 26  
Product specification  
Supersedes data of 1997 Jul 09  

BC857BS 替代型号

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